问答题漂移运动和扩散运动有什么不同?两者之间有什么联系?
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1.问答题试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。
2.单项选择题在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
3.单项选择题对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.EF
最新试题
I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
题型:单项选择题
温度升高时,三极管的β值(),导通电压VBE(on)()
题型:单项选择题
硅三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题
已知某三极管的射极电流IE=1.36mA,集电极电流IC=1.33mA,则基极电流IB=()
题型:单项选择题
PNP型三极管三只管脚的电位关系为VB>VC>VE,则三极管可能工作在()区。
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NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
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三极管的两个PN结都正偏时,三极管可能处于()状态。
题型:单项选择题
已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=()(忽略ICEO)
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在某电路中,测得晶体管三个管脚间的电压值分别为:VBE=-0.2V,VEC=5V,VBC=4.8V,则此晶体管的类型和材料分别是()
题型:单项选择题
处于未饱和状态的晶体管基极电流增大,则集电极电流()
题型:单项选择题