试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。

问答题试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。

1.单项选择题在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

A.锗
B.磷
C.硼
D.锡

2.单项选择题对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E_i。

A.E_c
B.E_v
C.E_g
D.E_F

3.填空题（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。

4.填空题反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

5.填空题半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。

6.填空题半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

7.填空题如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

8.填空题半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。

9.填空题对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

10.填空题通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。