当一个中性原子失去或得到一个价电子时，原子变成了（）

单项选择题当一个中性原子失去或得到一个价电子时，原子变成了（）

A.共价的
B.一种金属
C.一种晶体
D.一个离子

1.单项选择题MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

A.电流放大系数，大
B.电流放大系数，小
C.跨导，小
D.跨导，大

2.单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断

3.单项选择题N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

A.正，电子积累
B.负，电子积累
C.正，空穴反型层
D.正，电子反型层

4.单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有（）

A.栅氧厚度
B.衬底浓度
C.源漏区的长度
D.有效表面态电荷

5.单项选择题关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越（），载流子传输过程中的损失越小，基区浓度越（），载流子传输过程中的损失越大

A.大，高
B.大，低
C.小，高
D.小，低

6.单项选择题当三极管的共发射极电流放大系数下降为低频时的1/√2，对应的频率是：（）

A.fT
B.fβ
C.fα
D.fM

7.单项选择题缩短材料的少子寿命，会（）二极管的开关速度，向半导体中掺金，会（）二极管的开关速度。

A.提高，提高
B.提高，降低
C.降低，提高
D.降低，降低

8.单项选择题PN结的击穿电压越（）越好，开关时间越（）越好。

A.大，短
B.小，短
C.小，长
D.大，长

9.单项选择题正向电压作用下PN结电容以（）为主，反向电压作用下PN结电容以（）为主。

A.势垒电容，势垒电容
B.势垒电容，扩散电容
C.扩散电容，扩散电容
D.扩散电容，势垒电容

10.单项选择题能带和能带间不能有电子填充的叫（）

A.禁带
B.导带
C.价带
D.空带