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问答题（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

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1.问答题 Si和Al原子的相对质量非常接近（分别为28.09和26.98），但是SiO2和Al2O3的密度相差很大，（分别为2.65g／cm³，3.96g／cm³ ）。试计算SiO2和Al2O3的堆积密度，并用晶体结构及鲍林规则说明密度相差大多的原因。

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2.问答题 （1）画出O2-作而心立方堆积时，各四面体空隙和八面体空隙的所在位置（以一个晶胞为结构基元表示出来）。
（2）计算四面体空隙数、八而体空隙数与O2-数之比。
（3）根据电价规则，在下面情况下，空隙内各需填入何种价数的阳离子，并对每一种结构举出—个例子。
（a）所有四面体空隙位置均填满；
（b）所有八而体空隙位置均填满；
（c）填满—半四面体空隙位置；
（d）填满—半八面休空隙位置

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3.问答题试根据原子半径R计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。

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参考答案：体心：原子数2，配位数8，堆积密度55.5%；
面心：原子数4，配位数6，堆积密度74.04%；
六...

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5.问答题一个面心立方紧密堆积的金属晶体，其原子量为M，密度是8.94g/cm3。试计算其晶格常数和原子间距。

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6.问答题临界半径比的定义是：紧密堆积的阴离子恰好互相接触，并与中心的阳离子也恰好接触的条件下，阳离子半径与阴离子半径之比。即每种配位体的阳、阴离子半径比的下限。计算下列配位的临界半径比：（a）立方体配位；（b）八面体配位；（c）四面体配位；（d）三角形配位。

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7.问答题面排列密度的定义为：在平面上球体所占的面积分数。（a）画出MgO（NaCl型）晶体（111）、（110）和（100）晶面上的原子排布图；（b）计算这三个晶面的面排列密度。

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9.问答题 已知Mg²⁺半径为0.072nm，O^2-半径为0.140nm，计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。

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10.问答题证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25．9％。

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