问答题
用8位补码完成下列运算,用十进制“真值”的格式给出运算结果,并指出运算后CF、OF、ZF、SF、PF标志位的状态。
(1)127+126
(2)126-127
(3)-100-120
(4)-100-(-120)
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3.单项选择题SRAM和DRAM存储原理不同,它们分别靠()来存储0和1的。
A.双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷
B.内部熔丝是否断开和双稳态触发器
C.极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷
D.极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
4.单项选择题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。
A.不确定
B.0
C.1
D.可能为0,也可能为1
5.单项选择题某一EPROM芯片,其容量为32K×8,除电源和地线外,最小的输入引脚和输出引脚分别为()。
A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10
6.单项选择题存储周期指的是()。
A.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔
B.存储器的读出周期
C.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
D.存储器的写入周期
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