从负离子的六方密堆积出发，（1）正离子填满一半的四面体位置；（2）正离子填满...

问答题 从负离子的六方密堆积出发，
（1）正离子填满一半的四面体位置；
（2）正离子填满所有的八面体位置；
（3）正离子填满八面体结构的交替层。
三种情况各产生什么结构类型？

1.问答题BF₃和NF₃分子各形成什么类型的固体？固体中分子间靠什么键结合在一起？哪一种固体的熔点比较高？

2.问答题氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV，而从玻尔－哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别，原因是什么？

3.填空题实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO₂^1/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。

4.填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn_1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO_1+x，这是（）型半导体。

5.问答题 比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
（1）掺0.1mg/kg的As
（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
（4）掺1mg/kg的Al

6.问答题什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

7.问答题 判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：
（1）掺As的Ge
（2）掺Ga的Ge

（1）n
（2）p

8.填空题砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。

9.填空题TiOn₂在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti（IV）还原为Ti（III）相当于（）型掺杂。

10.填空题让10^-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag⁺离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。