对颗粒涂布型磁存储材料，假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为1）存在一个临界半径R0，当颗粒半径R>R0时，颗粒为多畴结构；当R0时，颗粒为单畴结构。2）下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系

磁存储的模式主要有（）

激子吸收

电介质材料（）

光盘是用（）写入信息、读出信息的存储器件。

常见的非线性光学现象包括（）、（）和（）。

半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量，为了出现光电势，还必须具备一定的附加条件，以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中，必须（），在均匀半导体中，必须具备另外一些附加条件，比如（）或（）。

非线性光学晶体按物理效应可分（）、（）和（）。

粒子数反转

（）是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。