单管放大电路如左图所示,其交直流负载的正确画法是右图中的()
A.A
B.B
C.C
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某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q’需使()
A.偏置电阻RB增大
B.集电极电阻RC减小
C.偏置电阻RB减小
电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于()
A.6V
B.0V
C.0.6V
D.5.3V
图示电路,已知晶体管忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取()
A.480KΩ
B.120KΩ
C.240KΩ
D.360KΩ
放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()
A.A
B.B
C.C
D.D
如图示放大电路中接线有错误的元件是()
A.RL
B.RB
C.C1
D.C2
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为()
A.0V
B.+2V
C.-2V
D.-1V
某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()
A.A
B.B
C.C