A.电场强度的旋度不等于零
B.电位移矢量的散度不等于零
C.磁场强度的旋度不等于零
D.磁感应强度的散度不等于零
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A.空间任意一点的能流密度由该点处的电场强度和磁场强度确定
B.若分界面上没有自由电荷,则电位移矢量的法向分量是连续的
C.在分界面上磁感应强度的法向分量是不连续的
D.理想导体内部不存在时变的电磁场
A.不连续的
B.连续的
C.不确定的
D.等于零
A.旋度和散度
B.旋度和梯度
C.梯度和散度
D.旋度
A.有旋场;有旋场
B.有旋场;无旋场
C.无旋场;无旋场
D.无旋场;有旋场
A.适合任何介质
B.静态场方程是麦克斯韦方程的特例
C.麦克斯韦方程中的安培环路定律与静态场中的安培环路定律相同
D.只有代入本构方程,麦克斯韦方程才能求解
A.在介质平面上方h处
B.在介质平面上方2h处
C.在介质平面下方2h处
D.在介质平面下方h处
A.即满足拉普拉斯方程或泊松方程,又满足边界条件的电位是唯一的
B.满足边界条件的电位是唯一的
C.满足拉普拉斯方程的电位是唯一的。
D.满足泊松方程的电位是唯一的
A.位于导体球内,和原电荷、球心不在同一条直线上。
B.位于导体球外,和原电荷、球心位于同一条直线上。
C.位于导体球内,和原电荷、球心位于同一条直线上。
D.位于导体球外,和原电荷、球心不在同一条直线上。
A.2
B.4
C.5
D.6
A.在无限大接地导体平面(YOZ平面)上方2h处,电量为q。
B.在无限大接地导体平面(YOZ平面)下方h处,电量为-q。
C.在无限大接地导体平面(YOZ平面)上方h处,电量为2q。
D.在无限大接地导体平面(YOZ平面)下方2h处,电量为q。
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电子设备必须符合标准要求是电子设备达到电磁兼容性的先决条件。
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