填空题某三极管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,V(BR)CEO=30V。若它的工作电压VCE=10V,则工作电流IC不得超过() mA;若工作电压VCE=1V, 则工作电流不得超过()mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过()V
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2.单项选择题三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的()倍.
A.a
B.1+β
C.β
3.单项选择题
某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。
A.饱和
B.放大
C.截止
D.已损坏
4.单项选择题
在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是()。
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
5.单项选择题双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()。
A.发射结正偏,集电结正偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结反偏
D.发射结反偏,集电结正偏
8.单项选择题用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型)与三个电极时以测出()最为方便。
A.中极间电阻
B.各极对地电位
C.各极电流
9.单项选择题一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V(即增加10%),则电流ID()。
A.约为11mA(也增加10%);
B.约为20mA(增大1倍);
C.约为100mA(增大到原先的10倍);
D.仍为10mA(基本不变)。
10.单项选择题
在同一测试电路中,分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是()。
A. a
B. b
C. c
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处于未饱和状态的晶体管基极电流增大,则集电极电流()
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负载线是一条描述()的曲线。
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