在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是（...

单项选择题 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是（）。

A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管

1.单项选择题双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏

2.填空题温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将（），输出特性曲线将（），而且输出特性曲线之间的间隔将（）。

3.填空题温度升高时，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流I_CBO（），正向结电压U_BE（）。

4.单项选择题用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出（）最为方便。

A.中极间电阻
B.各极对地电位
C.各极电流

5.单项选择题一个硅二极管在正向电压U_D=0.6V时，正向电流I_D=10mA。若U_D增大到0.66V（即增加10%），则电流I_D（）。

A.约为11mA（也增加10%）；
B.约为20mA（增大1倍）；
C.约为100mA（增大到原先的10倍）；
D.仍为10mA（基本不变）。

6.单项选择题 在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是（）。

A. a
B. b
C. c

7.单项选择题 二极管的双向限幅电路如右图所示。设v_i为幅值大于直流电源V_C1（=－V_C2）值的正弦波，二极管为理想器件。则可画出v_o的波形为（）。

A. a）
B. b）
C. c）
D. d）

8.填空题 已知D_Z1、D_Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图左中，输出电压为（）；可求得右图中输出电压为（）。

9.填空题 设硅稳压管D_Z1和D_Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图（a）中电路的输出电压V_o为（）；可求出图（b）中电路的输出电压V_o为（）；可求出图（c）中输出电压V_o为（）；可求出图（d）中输出电压V_o为（）。

10.单项选择题 已知如下图所示电路中V_A＝0V，V_B＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定V_o的值为（）。（设二极管的正向压降为0.7V。）

A.5V
B.-4V
C.4.3V
D.0.7V