在本质半导体中，由于外加电压而产生的电流，称为（）

单项选择题在本质半导体中，由于外加电压而产生的电流，称为（）

A.漏电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.电子流

1.单项选择题二极管的障壁电位，即为其电压－电流特性曲线上的（）

A.切入电压
B.稽纳电压
C.崩溃电压
D.以上皆非

2.单项选择题变容二极管，是利用下列何者来调变其电容量？（）

A.电压
B.电流
C.负电阻
D.频率

3.单项选择题有一锗质二极管在25℃时，Is为1μA，当温度升至55℃时，Is为（）

A.1μA
B.2μA
C.4μA
D.8μA

4.单项选择题二极管的空乏电容随着逆偏电压的增加而？（）

A.增加
B.减少
C.无影响
D.不一定

5.单项选择题 图中电路，稽纳内阻已知r_z=4Ω，R_L=40Ω，R_S=16Ω，则输入电压变化5V时，输出电压变化几伏？（）

A.0.1
B.0.5
C.1
D.2

6.单项选择题当二极管的顺向偏压增加时，扩散电容的大小会（）

A.增加
B.减少
C.无影响
D.不一定

7.单项选择题将硼B元素掺进纯硅晶体内，则成为（）材料.

A.N型
B.P型
C.I型
D.J型

8.单项选择题二极管在顺向偏压时，下列叙述何者正确？（）

A.有大电阻
B.有大电压降
C.截止电流
D.导通电流

9.单项选择题下列何种组件可将电能转换为光能？（）

A.光敏电阻
B.光二极管
C.发光二极管
D.稽纳二极管

10.单项选择题一般PN二极管两端顺向电压随温度变化的情形是（）

A.－2.5mV/℃
B.+2.5mV/℃
C.－25mV/℃
D.+25mV/℃