单项选择题为了实现全局平坦化,在集成电路中,经常采用()工艺。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高温回流
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题以下工艺中,方块电阻是一个重要的参数,一般用于衡量()工艺中杂质情况。
A.氧化
B.扩散
C.光刻
D.刻蚀
2.单项选择题在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。
A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应
3.单项选择题光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。
A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式
4.单项选择题源漏注入之后,必须进行()工艺,修复晶格损伤,激活杂质。
A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散
5.单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜,通常简写为()。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
6.单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的()。
A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区
7.单项选择题显影后,被曝光区域的光刻胶被去除,该种光刻胶称为()。
A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻
8.单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区
9.单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
10.单项选择题如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
最新试题
集成电路再分析软件其处理的主要对象是()。
题型:单项选择题
用四端器件绘制电路图时,NMOS管和PMOS管的衬底连接正确的是()。
题型:单项选择题
以下工艺中,方块电阻是一个重要的参数,一般用于衡量()工艺中杂质情况。
题型:单项选择题
电源线和地线一般用什么图层来画?()
题型:单项选择题
外延双阱工艺的优点包括()。
题型:多项选择题
STI技术相比LOCOS工艺,占地面积更小,而且不会产生鸟嘴效应。
题型:判断题
薄栅管ESD保护结构的ESD保护能力通常为多少?()
题型:单项选择题
集成电路的制造工艺,需要采用隔离技术,常见的隔离方法有()。
题型:多项选择题
MOS管版图一般匹配原则有()。
题型:多项选择题
关于电路的层次,自下向上顺序正确的是()。
题型:单项选择题