以饱和增强型负载反相器为例分析E/E反相器的工作原理及传输特性。

问答题以饱和增强型负载反相器为例分析E/E反相器的工作原理及传输特性。

1.问答题增强型负载nMOS反相器有哪两种电路结构？简述其优缺点。

2.问答题采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？

3.问答题 设计一个V_OL=0.6V的电阻负载反相器，增强型驱动晶体管V_T0=1V， V_DD=5V
1）求V_IL和V_IH
2）求噪声容限V_NML和V_NMH

4.问答题考虑一个电阻负载反相器电路：V_DD=5V，K_N`=20uA/V2 ，V_T0=0.8V，R_L=200KΩ，W/L=2。计算V_TC曲线上的临界电压值（V_OL、V_OH、V_IL、V_IH）及电路的噪声容限，并评价该直流反相器的设计质量。

5.问答题考虑下面的反相器设计问题：给定V_DD=5V，K_N`=30uA/V2 ，V_T0=1V 设计一个V_OL=0.2V的电阻负载反相器电路，并确定满足V_OL条件时的晶体管的宽长比（W/L）和负载电阻R_L的阻值。

6.问答题给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。

7.问答题请画出晶体管的I_D—V_DS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。

8.问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

9.问答题什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

10.问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。