设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器,增强型驱动晶体管VT0=1V, VDD=5V 1)求VIL和VIH 2)求噪声容限VNML和VNMH
最新试题
二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。
试说明硅工艺中常用掺杂杂质B,P,As的扩散特性。
试说明横向扩散以及横向扩散的主要影响。
半导体获得广泛应用的原因是()
二极管只能通过直流电,不能通过交流电。
结电容是常量。
试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法,并说明当前实际工艺中使用的主要方法及理由。
普通二极管是由PN 结引出电极封装而成的。
漂移运动方向是从N 区到P 区。
OED/ORD