在调频制记录方式中，记录0时，写电流（）变化一次。

单项选择题在调频制记录方式中，记录0时，写电流（）变化一次。

A.只在本位单元中间位置处
B.只在本位单元起始位置处
C.在本位单元起始位置处负向
D.在本位单元起始位置和中间位置处

1.单项选择题磁表面存储器所记录的信息（）。

A.能长期保存
B.不能长期保存
C.读出后，原存信息即被破坏
D.读出若干次后要重写

2.单项选择题表示主存容量，通常以（）为单位。

A.数据块数
B.字节数
C.扇区数
D.记录项数

3.单项选择题地址总线A15（高位）～A0（低位），若用1K×4的存储芯片组成4K字节存储器，则加至各存储芯片上的地址线是（）。

A.A15~A6
B.A9~A0
C.A15~A5
D.A10~A0

4.单项选择题地址总线A0（高位）～A15（低位），若用4K×4的存储芯片组成16KB存储器，则应由（）译码产生片选信号。

A.A2A3
B.A0A1
C.A12～A15
D.A0～A5

5.单项选择题地址总线A0（高位）～A15（低位），用4K×4的存储芯片组成16KB存储器，则加至各存储芯片上的地址线是（）。

A.A16～A15
B.A0～A9
C.A0~A11
D.A4~A15

6.单项选择题动态RAM的特点是（）。

A.工作中存储内容会产生变化
B.工作中需要动态地改变访存地址
C.每次读出后，需根据原存内容重写一次
D.每隔一定时间，需要根据原存内容重写一遍

7.单项选择题在调相制记录方式中（）。

A.相邻位单元交界处必须变换磁化电流方向
B.相邻位单元交界处，电流方向不变
C.当相邻两位数值相同时，交界处变换电流方向
D.当相邻两位数值不同时，交界处变换电流方向

8.单项选择题主存储器—般（）。

A.采用奇偶校验
B.采用海明校验
C.采用循环码校验
D.需同时采用两种校验

9.单项选择题在下列存储器中，（）属于磁表面存储器。

A.主存
B.磁盘
C.固存（或光盘）
D.高速缓存

10.单项选择题在磁盘接口中（）。

A.采用直接程序传送方式（查询等待方式）
B.只采用中断方式
C.只采用DMA方式
D.既有DMA方式也有中断方式