A.加宽;
B.不变;
C.变窄;
D.无法判别。
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A.用万用表的R×100或R×1000的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;
B.用万用表的R×10K的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;
C.用万用表的R×100或R×1000的欧姆,红棒接正极,黑棒接负极,指针偏转;
D.用万用表的R×10,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;
A.运用它的反向特性;
B.锗管使用在反向击穿区;
C.硅管使用反向区域,而锗管使用正向区域;
D.都使用正向区域。
A.多数载流子的运动称为漂移;
B.电子与空穴的中和称为复合;
C.多数载流子的运动称为扩散;
D.少数载流子的运动称为漂移;
理想二极管组成的电路如下图所示,其AB两端的电压是()
A.—12V;
B.—6V;
C.+6V;
D.+12V。
A.发射结正偏、集电结反偏;
B.发射结正偏、集电结正偏;
C.发射结反偏、集电结正偏;
D.发射结反偏、集电结反偏。
A.发射结正偏、集电结反偏;
B.发射结正偏、集电结正偏;
C.发射结反偏、集电结正偏;
D.发射结反偏、集电结反偏。
A.发射结正偏、集电结反偏;
B.发射结正偏、集电结正偏;
C.发射结反偏、集电结正偏;
D.发射结反偏、集电结反偏;
A.掺杂的工艺;
B.杂质的浓度;
C.温度;
D.晶体的缺陷。
A.电子;
B.空穴;
C.三价元素;
D.五价元素。
A.给本征半导体加上一定的能量,则价电子就能成为自由电子;
B.给本征半导体不加能量,则价电子也能成为自由电子;
C.给本征半导体加上一定的能量,则价电子也不能成为自由电子;
D.以上所有说法都不正确。