试证明拉莫进动频率。

问答题 试证明拉莫进动频率。

1.问答题 垂直板面方向磁化的大薄片性磁性材料，去掉磁化场后的磁极化强度是，试计算板中心的退磁场大小。

2.问答题轻掺杂的硅样品在室外温下，外加电压使电子的漂移速度是它的热运动速度的十分之一，一个电子由于漂移而通过1μm区域中的平均碰撞次数和此时加在这个区域的电压为多少？

3.问答题 （1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σ_min的表达式。
（2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的）

4.问答题 分别计算有下列杂质的硅，在室温时的载流子浓度和电阻率；
（1）3×10¹⁵硼原子/cm³
（2）1.3×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁶磷原子/cm³
（3）1.3×10¹⁶磷原子/cm³+1.0×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁷砷原子/cm³

5.问答题 一截在为10^-3cm²，掺有杂质浓度N_A=10₁₃/cm³的P型硅样品，在样品内加有强度为10³V/cm的电场，求：
（1）室外温时样品的电导率及流过样品的电流密度。
（2）400K时样品的电导率及流过样品的电流密度。

6.问答题一截面为0.6cm²，长为1cm的n型GaAs样品，设μ_n=8000cm²/V.s，n=10¹⁵cm³，试求该样品的电阻。

7.问答题设电子迁移率为0.1cm²/V.s，硅的电子有效质量m_cn=0.26m₀，如加以强度为10⁴V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。

8.问答题在500g的硅单晶中掺有4.5×10^-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μ_p=400cm²/V.s），硅单密度为2.33g/cm³，硼的原子量为10.8）。

9.问答题本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm²/V.s和500cm²/V.s，当掺入百万分之一的A_s后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？

10.问答题300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征锗的载流子浓度。