氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%,即意味着每生长1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗。 920A
最新试题
发射区推进效应
明两步扩散法的基本思想,及其每一步工艺的主要特点和目的。
二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。
若在直流电路中硅二极管导通,则其导通电压均可认为0.7V。
点接触型比面接触型二极管的结电容面积小,因此其最高工作频率低。
因电场作用所产生的运动称为扩散运动。
列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。
自由电子是载流子,空穴不是。
半导体获得广泛应用的原因是()
试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法,并说明当前实际工艺中使用的主要方法及理由。