光折变效应的大小只与入射光的能量有关，而与光强无关。

利用压电材料的逆压电效应可以制备力传感器。

压电材料与铁电材料的关系是（）

红外探测器材料分为（）和（）两大类。

半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量，为了出现光电势，还必须具备一定的附加条件，以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中，必须（），在均匀半导体中，必须具备另外一些附加条件，比如（）或（）。

杂质吸收与激子吸收相同，都导致电子在能带与能带之间跃迁。

磁存储系统一般都包括（）

对颗粒涂布型磁存储材料，假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为1）存在一个临界半径R0，当颗粒半径R>R0时，颗粒为多畴结构；当R0时，颗粒为单畴结构。2）下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系

磁存储的模式主要有（）

异质结太阳能电池通常（）。