试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤，并说...

问答题试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤，并说明个步骤的主要作用和工艺温度。

1.问答题明两步扩散法的基本思想，及其每一步工艺的主要特点和目的。

2.问答题解释有限表面源扩散，列出有限表面源扩散的三种主要工艺参数，并说明其含义和主要影响因素。

3.问答题列出恒定表面源扩散的三种主要工艺参数，并说明其含义和主要影响因素。

4.问答题什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？其中哪一个影响最主要？为什么？

5.问答题解释扩散系数及其物理含义，并说明影响扩散系数的主要因素是什么，及如何影响？

6.问答题说明杂质在晶圆中的扩散机制及主要特点，并各举一例。

7.问答题什么是扩散？并说明扩散的两个基本条件？按材料的形态划分，扩散有那几种基本形式？工艺中的高温扩散属于哪一种？

扩散，是一种材料通过另一种材料的运动。
扩散的两个必要条件：浓度差，过程所需要的能量。
固态，液态，气态扩散。
属于固态扩散。

8.问答题列出半导体制造中四种常见的杂质，并说明掺杂后相应的半导体硅的导电类型。

硼：P型；
磷，砷和锑：N型

9.问答题半导体工艺中是如何形成PN结的？什么是结深？

10.问答题掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。