单项选择题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）

A.平坦能带状态
B.深耗尽状态
C.少子反型状态
D.本征状态

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单项选择题

‎对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题

‏理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）

A.V_S≥2V_B
B.V_S＞V_B
C.V_S≤2V_B
D.V_S＜V_B