什么是 device breakdown voltage？_考试资料网

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问答题什么是 device breakdown voltage？

参考答案： 指崩溃电压（击穿电压），在 Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟...

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1.问答题什么是Ioff? Ioff小有什么好处？

参考答案：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。Ioff越小, 表示栅极的控制能力愈好, 可以避免不...

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2.问答题在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt?

参考答案：Poly CD、Gate oxide Thk. (栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度及Vt imp.条件。

3.问答题什么是Vt? Vt代表什幺意义？

参考答案：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg

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4.问答题在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat？

参考答案：Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LD...

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5.问答题什么是Idsat?Idsat 代表什么意义？

参考答案：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.

6.问答题我们一般用哪些参数来评价device的特性？

参考答案：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk (breakdo...

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7.问答题MOS器件的主要特性是什幺？

参考答案：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。

8.问答题硅化物（salicide）的形成步骤主要可分为哪些？

参考答案：①Co（或Ti）+TiN的沉积；
②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的...

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9.问答题何谓硅化物( salicide)?

参考答案：Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。

10.问答题简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些？

参考答案：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后（etch）的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住...

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