无机化学无机固体化学章节练习(2019.04.22)

填空题
GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。
答案：p；n
问答题
判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：（1）掺As的Ge（2）掺Ga的Ge
答案：
（1）n
（2）p
填空题
TiOn2在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti（IV）还原为Ti（III）相当于（）型掺杂。
答案：n
问答题
晶体的缺陷浓度为何随温度升高而加大？
答案：缺陷生成的自由焓ΔG=ΔH-TΔS，若ΔH和ΔS在一定的温度范围内基本不变，且ΔS>0，则随温度升高，TΔS增大，则ΔG...
问答题
温度高于150℃时AgI是Ag+离子导体。假定165℃时在两个Ag电极之间夹一片AgI，两电极之间施加的电压为0.1V，经过一段时间后两电极质量如何变化？写出可能的电极反应。
答案：正银电极：Ag（s）=Ag⁺（AgI中）+e^-（外电路）
电解质A...
问答题
从负离子的六方密堆积出发，（1）正离子填满一半的四面体位置；（2）正离子填满所有的八面体位置；（3）正离子填满八面体结构的交替层。三种情况各产生什么结构类型？
答案：（1）T⁺（或T^-）占据，O和T^-（或T^+<...
填空题
实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。
答案：p
问答题
比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。（1）掺0.1mg/kg的As（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al（4）掺1mg/kg的Al
答案：（3）<（2）<（1）<（4）
填空题
让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。
答案：正电极质量减少108mg，AgI不变，负电极质量增加108mg。
问答题
氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV，而从玻尔－哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别，原因是什么？
答案：NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面，在内部形成1mol成对的Na⁺...