集成电路工艺原理章节练习(2019.11.24)

名词解释
外延
答案：
在单晶衬底上按衬底晶向生长一层新的单晶薄膜的工艺技术。
填空题
CZ直拉法的目的是（）。
答案：实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中
填空题
离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。
答案：点缺陷、非晶区、非晶层
名词解释
通孔
答案：
是指穿过各种介质从某一金属到毗邻的另一金属层形成电通路的开口。
判断题
蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中，对坩埚进行间接加热。
答案：正确
判断题
在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
答案：正确
填空题
集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括（）、（）、（）。
答案：图形转化技术；薄膜制备技术；掺杂技术
判断题
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
答案：正确
填空题
提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过（）、（）、（）等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。
答案：切片；研磨；抛光
问答题
载带自动焊的分类及结构特点？
答案：TAB按其结构和形状可分为
Cu箔单层带：
Cu的厚度为35-70um，
Cu-PI双层带...