集成电路技术综合练习章节练习(2020.05.03)
来源：考试资料网
参考答案：
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
参考答案：衬底；P阱的制作；场氧氧化、确定有源区；生长多晶硅栅；形成PMOS的源、漏区；形成NMOS的源、漏区；生长PSG；制作电... 参考答案：减小L和tox提高MOSFET的电流控制能力，减小W将减小输出功率和电流控制能力，同时减小Ltox和W将保持Ids不变和... 参考答案：
由于芯片面积很小且经历的加工条件几乎相同
参考答案：
利用硅独有的特性制造薄到几十埃（只有几个原子层）的栅氧化层
参考答案：
设计资料库、电路编辑环境、电路仿真工具、版图设计工具、版图验证工具
参考答案：
衬底接地，但是源极未接地，将而影响Vt值
参考答案：
离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。
参考答案：
器件在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，即二维电子气。