什么是离子注入损伤？

问答题什么是离子注入损伤？

离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。

1.问答题有哪些损伤类型？

损伤类型：空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。

2.问答题什么是沟道效应？

3.问答题如何降低沟道效应？

4.问答题与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

5.问答题扩散源有哪些存在形态？

扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。

6.问答题热扩散机制有哪些？

替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散

7.问答题氧化膜厚度的测定方法？

双光干涉法、比色法

8.问答题热氧化常见的缺陷有？

表面缺陷、结构缺陷、氧化层中的电荷

9.问答题为何热氧化时要控制钠离子含量？降低钠离子污染的措施有哪些？

10.问答题影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施？