集成电路制造工艺员（三级）单项选择题每日一练(2019.01.22)

来源：考试资料网
1 在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。

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2 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。

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3 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

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4 （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

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5 涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

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