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集成电路工艺原理判断题每日一练(2019.05.03)
判断题
满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。
答案：
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判断题
替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
答案：
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判断题
硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
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正确
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判断题
对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
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错误
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判断题
热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
答案：
错误
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