判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
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3.判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。
7.判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。
9.判断题硅热氧化形成SiO2体积将增加约1倍。
10.判断题SiO2作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。
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