最新试题
半导体工艺技术中,器件互连材料通常包括()等。
题型:多项选择题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
题型:多项选择题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,求M4的漏电流。
题型:问答题
什么是电阻率?它的单位是什么(国际标准单位制)?
题型:问答题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单晶硅的过程,称作()。生长后的单晶硅被称为()。
题型:单项选择题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题
目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
题型:问答题
什么是MOS器件的体效应?
题型:问答题
MOS场效应管(MOSFET)在20世纪70年代得到了广泛的接受,从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类()和()。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。
题型:多项选择题