MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到...

多项选择题MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。

A.nMOS（n沟道）
B.pMOS（p沟道）
C.mMOS（m沟道）

1.单项选择题由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

A.寄生电容
B.共生电容
C.储存电容

2.多项选择题集成电路电阻可以通过（）产生。

A.金属膜
B.掺杂的多晶硅
C.通过杂质扩散到衬底的特定区域中

3.多项选择题半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

A.金属
B.合金
C.多晶硅
D.金属硅化物

4.多项选择题硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

A.SiO₂
B.SiON
C.Si₃N₄

5.多项选择题材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

A.导体
B.绝缘体
C.半导体

6.多项选择题20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

A.真空管电子学
B.无线电通信
C.机械制表机
D.固体物理

7.多项选择题晶体管的名字取自于（）和（）两词。

A.跨导
B.变阻器
C.导体

8.多项选择题由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

A.微芯片
B.芯片
C.硅片

9.问答题设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。

10.问答题 在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出V_x从一个大的正值下降时I_x的草图。