多项选择题硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
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1.多项选择题材料根据流经材电流的不同可分为三类()。
A.导体
B.绝缘体
C.半导体
2.多项选择题20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是()。
A.真空管电子学
B.无线电通信
C.机械制表机
D.固体物理
3.多项选择题晶体管的名字取自于()和()两词。
A.跨导
B.变阻器
C.导体
4.多项选择题由硅片生产的半导体产品,又被称为()。
A.微芯片
B.芯片
C.硅片
8.问答题
根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
9.问答题目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
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版图DRC、ERC和LVS的意义是什么?
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比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。
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图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
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