编写DRC版图验证文件的主要依据是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

规定版图几何设计规则的意义是什么？

从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

集成电容主要有几种结构？

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。