湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si...

填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO₂常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si₃N₄常用的腐蚀剂是（）。

1.填空题控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

2.填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

3.填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

4.填空题特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。

5.填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。

6.填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。

7.填空题CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。

8.填空题常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。

9.填空题溅射镀膜方法有（）、（）、（）、（）等。

10.填空题离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有（）、（）、（）、（）。