图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

规定版图几何设计规则的意义是什么？

把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作（）。生长后的单晶硅被称为（）。

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。