CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。

填空题CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。

1.填空题常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。

2.填空题溅射镀膜方法有（）、（）、（）、（）等。

3.填空题离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有（）、（）、（）、（）。

4.填空题自持放电的形式有（）、（）、（）、（）。

5.填空题真空蒸发设备由三大部分组成，分别是（）、（）、（）及（）系统。

6.填空题真空蒸发的蒸发源有（）、（）、（）、（）等。

7.填空题离子注入系统结构一般包括（）等部分。

8.填空题离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。

9.填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

10.填空题制备SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。