最新试题
版图DRC、ERC和LVS的意义是什么?
题型:问答题
材料根据流经材电流的不同可分为三类()。
题型:多项选择题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题
什么是MOS器件的体效应?
题型:问答题
从设计的观点出发,版图设计规则应包括哪些部分?
题型:问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。
题型:问答题
说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。
题型:问答题
目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
题型:问答题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,求M4的漏电流。
题型:问答题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题