最新试题
规定版图几何设计规则的意义是什么?
题型:问答题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
版图DRC、ERC和LVS的意义是什么?
题型:问答题
半导体工艺技术中,器件互连材料通常包括()等。
题型:多项选择题
根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
题型:问答题
试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。
题型:问答题
什么是电阻率?它的单位是什么(国际标准单位制)?
题型:问答题
MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响?
题型:问答题
晶体管的名字取自于()和()两词。
题型:多项选择题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。
题型:问答题