在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

填空题在SiO₂内和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

1.填空题硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对（）、（）、砷（As）、锑（Sb）等元素具有（）作用。

2.填空题热氧化制备SiO₂的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。

3.填空题常规的硅材料抛光方式有：（）抛光，（）抛光，（）抛光等。

4.填空题提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过（）、（）、（）等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

5.填空题直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。

6.填空题高纯硅制备过程为（）→（）→（）→（）→（）。

7.填空题晶体中的缺陷包括（）、（）、（）、（）等四种。

8.填空题集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括（）、（）、（）。

9.填空题制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是（）、（）和（）。

10.问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？