直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。

填空题直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。

1.填空题高纯硅制备过程为（）→（）→（）→（）→（）。

2.填空题晶体中的缺陷包括（）、（）、（）、（）等四种。

3.填空题集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括（）、（）、（）。

4.填空题制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是（）、（）和（）。

5.问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

6.问答题离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？

7.问答题为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？

8.问答题在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。

9.问答题比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？

10.问答题为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？