离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有（）、（）、（）、（）。

填空题离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有（）、（）、（）、（）。

1.填空题自持放电的形式有（）、（）、（）、（）。

2.填空题真空蒸发设备由三大部分组成，分别是（）、（）、（）及（）系统。

3.填空题真空蒸发的蒸发源有（）、（）、（）、（）等。

4.填空题离子注入系统结构一般包括（）等部分。

5.填空题离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。

6.填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

7.填空题制备SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

8.填空题在SiO₂内和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

9.填空题硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对（）、（）、砷（As）、锑（Sb）等元素具有（）作用。

10.填空题热氧化制备SiO₂的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。