满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这...

判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

1.判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。

2.判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。

3.判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。

4.判断题PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。

5.判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。

6.判断题相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

7.判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

8.判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

9.判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。

10.判断题常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射，其中磁控溅射的气压最低、靶电流密度最高。