半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.30)

问答题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它...
问答题
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
答案：以P₂O₂杂质源为例来说明SiO₂的掩蔽过程：当P
问答题
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
答案：在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进...
问答题
分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
答案：快速气相掺杂（RVD，RapidVapor-phaseDoping）利用快速热处理过程（RTP）将处在掺杂剂气氛中的硅片...
问答题
采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
答案：无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示：
其中，Rp为投影射程，ΔRp为投影射程的标准偏差，&p...