集成电路工艺原理填空题每日一练(2020.04.22)

填空题
CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。
答案：热能；等离子体；光能
填空题
设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。
答案：埋层光刻；隔离光刻；基区光刻；发射区光刻；引线区光刻；反刻铝电极
填空题
溅射镀膜方法有（）、（）、（）、（）等。
答案：直流溅射；射频溅射；偏压溅射；磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）
填空题
晶体中的缺陷包括（）、（）、（）、（）等四种。
答案：点缺陷；线缺陷；面缺陷；体缺陷
填空题
真空蒸发设备由三大部分组成，分别是（）、（）、（）及（）系统。
答案：真空系统；蒸发系统；基板；加热