集成电路工艺原理问答题每日一练(2020.04.29)

问答题
光刻胶正胶和负胶的区别是什么？
答案：正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长...
问答题
根据图，给出M2管的漏极电流表达式。
答案：
问答题
简述铝的结穿刺现象及解决方法。
答案：在纯铝和硅的界面加热合金化过程中（450～500℃），硅开始溶解在铝中直到在铝中的浓度达到0.5％，该过程消耗硅并在硅中...
问答题
简述什么焦深（DOF）及其公式。
答案：焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路光刻中的景深很小，一般在1.0&mu...
问答题
简述高能离子轰击的内容。
答案：①离子反射（能量很小）；
②离子吸附（<10eV），能量转化热能；
③离子注入（>10keV），能量...