微电子学单项选择题每日一练(2020.05.04)

单项选择题
离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。
A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应
单项选择题
浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空气，达到（）的目的。
A.增大光源波长；
B.减小光源波长；
C.减小光学系统数值孔径；
D.增大光学系统数值孔径。
单项选择题
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。
A. 诱生电荷
B. 鸟嘴效应
C. 陷阱电荷
D. 可移动电荷
单项选择题
不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1.刻蚀2.前烘3..显影4.去胶5.涂胶6.曝光7.坚膜以下选项排列正确的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
单项选择题
半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。
A.结晶形二氧化硅
B.无定形二氧化硅