不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1.刻蚀2.前烘3..显影4.去胶...

单项选择题 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：
1.刻蚀
2.前烘
3..显影
4.去胶
5.涂胶
6.曝光
7.坚膜
以下选项排列正确的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。

1.单项选择题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。

A.结晶形二氧化硅
B.无定形二氧化硅

2.名词解释再分布

3.名词解释平均投影射程RP

4.名词解释非桥键氧

5.名词解释阱

6.名词解释互连

7.填空题曝光后显影时感光的胶层溶解了，没有感光的胶层不溶解留下了，这种胶称为（）胶。

8.填空题干法刻蚀适用于（）（粗/细）线条。

9.判断题扩散只用于浅结的制备

10.判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制