扩散只用于浅结的制备

判断题扩散只用于浅结的制备

1.判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制

2.单项选择题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）

A. 离子注入
B. 热扩散

3.单项选择题 二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）
①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数
②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数
③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度
④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度

A.②④
B.①③
C.①④
D.②③

4.单项选择题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A.干氧
B.湿氧
C.水汽氧化

5.名词解释欧姆接触

6.问答题简述电子束曝光的特点

7.问答题微电子器件对接触和互连有什么要求？获得良好欧姆接触的方法有哪几种？

8.名词解释外延

9.名词解释恒定源扩散

10.名词解释水汽氧氧化