掺杂后，退火的目的是（）。

光刻工艺的设备核心是（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

CE定律发展面临的问题包括（）。

光刻工艺对准误差包括（）。

消除鸟嘴效应的方法有（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）